RAGAMNETWORK.COM – Detail mengenai spesifikasi smartphone flagship Samsung berikutnya, seri Galaxy S26, mulai terungkap di ranah maya. Bocoran terbaru dari leaker terpercaya, Ice Universe, menyajikan dugaan konfigurasi memori untuk ketiga model keluarga, meskipun diklaim tidak akan membawa perubahan radikal dari generasi sebelumnya.
Konfigurasi Memori dan RAM Khusus Ultra
Dugaan pemotongan memori internal untuk seri Galaxy S26 menunjukkan konfigurasi yang mirip di model standar dan Plus:
-
Galaxy S26: 12GB RAM + 256 GB / 12GB RAM + 512 GB
-
Galaxy S26 Plus: 12GB RAM + 256 GB / 12GB RAM + 512 GB
Pengecualian menarik terjadi pada model Galaxy S26 Ultra. Model tertinggi ini diprediksi memiliki tiga konfigurasi memori internal: 12GB RAM + 256 GB, 12GB RAM + 512 GB, dan 12 GB + 1 TB.
Yang paling menonjol, di beberapa pasar tertentu—terutama pasar di mana flagship Tiongkok dengan RAM besar sangat populer—pemotongan 1 TB pada S26 Ultra juga akan meningkatkan RAM menjadi 16 GB. Pasar ini diduga kuat adalah Tiongkok sendiri. Ketiga perangkat tersebut diperkirakan akan menggunakan chip RAM LPDDR5X yang lebih cepat daripada yang terlihat pada Galaxy S25, dengan kecepatan transfer yang ditingkatkan menjadi 10,7 Gbps.
Peningkatan Signifikan pada Sektor Fotografi
Bocoran lain yang beredar menyebutkan perbaikan besar (di atas kertas) pada kemampuan fotografi model Ultra, terutama dalam kondisi cahaya rendah. Tangkapan layar dari sifat gambar yang diambil dengan perangkat tersebut mengindikasikan adanya sensor utama 200 MP dengan aperture f/1.4.
Peningkatan aperture (dari f/1.7 pada S25 Ultra) ini sangat signifikan, yang berarti sensor akan menerima lebih banyak cahaya. Peningkatan ini memungkinkan S26 Ultra menghasilkan gambar yang lebih tajam dan lebih detail, bahkan di kondisi minim cahaya. Sensor utama pada S26 Ultra tetap diharapkan menggunakan sensor ISOCELL HP2 dalam format 1/1.3.
